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    俄羅斯研制出基于石墨烯材料的閃存原型
                       俄羅斯科學院西伯利亞分院半導體物理研究所的研究人員利用多層石墨烯材料制造出了一種新型閃存的原型,其無論在信息存儲速度方面,還是在保存時間方面,均超過現有其他材料制成的閃存。
                       據悉,石墨烯閃存的作用原理是在存儲介質(多層石墨烯材料)里注入和保存電荷,其隧道層由氧化硅制得。閃存的效率取決于存儲介質功函數的大小,由于多層石墨烯對電子具有很大的功函數(約5eV),因此,在石墨烯層和氧化硅邊界的勢壘增加至4eV。被夾在隧道和阻擋氧化物之間的石墨烯層相當于一個深勢阱,電荷進入后就長期貯存在那里,因而,可對閃存進行幾何學優化,例如,使用更薄的隧道層,存儲速度可提高到2-3倍,而更大的功函數可使電荷貯存的時間更長久。
                       目前,研究人員研制的石墨烯閃存原型仍處于基礎研究階段,其工業化生產尚需時日。
      


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